RH6L040BGTB1 与 BSZ100N06LS3 G 区别
| 型号 | RH6L040BGTB1 | BSZ100N06LS3 G | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-RH6L040BGTB1 | A-BSZ100N06LS3 G | ||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | Nch 60V 65A, HSMT8, Power MOSFET | 系列:OptiMOS™ | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 7.1mΩ@40A,10V | 7.7mΩ | ||
| 上升时间 | - | 58ns | ||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 59W | 50W | ||
| Qg-栅极电荷 | - | 45nC | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V | ||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 20S | ||
| 典型关闭延迟时间 | - | 19ns | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | HSMT8 | - | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||
| 连续漏极电流Id | 65A | 20A | ||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||
| 配置 | - | Single | ||
| 系列 | - | OptiMOS™ | ||
| 长度 | - | 3.3mm | ||
| 下降时间 | - | 8ns | ||
| 高度 | - | 1.10mm | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RH6L040BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT8 N-Channel 59W 7.1mΩ@40A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 65A |
￥4.3403
|
0 | 当前型号 | ||||
|
BSZ100N06LS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 20A 7.7mΩ 20V 50W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
SIS862ADN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
15.8A(Ta),52A(Tc) N-Channel 7,2 mOhms @ 10A,10V 3.6W(Ta),39W(Tc) -55°C~150°C 60V SOT1210 |
暂无价格 | 30 | 对比 | ||||
|
|
SIS862DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
40A(Tc) N-Channel ±20V 8.5mΩ@20A,10V 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 20 | 对比 | ||||
|
NVTFS5826NLTWG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
|
NVTFS5820NLWFTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
